采用汽相转移(VPT)法合成出结晶度较高的纯MCM-22分子筛,并首次将硅酸钠应用于VPT法合成MCM-22分子筛;合成过程模板剂和Na+ 用量与水热合成法相比明显减少。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及BET比表面测定对产物作了表征,并重点对不同硅源对结晶产物的影响作了讨论.
文中研究了端羟基聚d ,l-乳酸及d ,l-乳酸-ε-己内酯共聚物预聚体的合成方法以及反应温度、单体比、催化剂用量等对预聚体结构的影响。结果表明预聚体合成的最佳反应条件为:n(LA) /n(CL)=8/2, θ=195℃ ,催化剂质量分数0.3% ,还原剂质量分数0.1 % ,总反应时间31h。在该反应条件下可合成出结构明确、酸值较为理想、可满足进一步扩链要求的端羟基预聚体。并用羟值分析和GPC等对产物进行了表征.
双官能度自由基型活性单体TEGDA在聚氨酯丙烯酸酯PU与环氧化合物EPON-812组成的混杂光固化体系中质量比为m(TEGDA)∶m(PU) =1∶2时,体系综合性能好,感度较高,感度值为15. 2J/m2, 带有叔胺结构的活性稀释单体NVP的加入不利于提高混杂体系的感度, 感度值为196.6J/m2 。混杂光固化体系中活性单体的选择, 同时考虑其对自由基和阳离子两种聚合的影响.
文中通过溶剂热法合成配位聚合物[CuII(bpdc) (H2O)2]n和 [Ag4I(bpdc) (H2bpdc)(Hbpdc)2]n(bpdc=2, 2'-联吡啶-3,3'-二羧酸根)的合成反应, 对影响溶剂热反应的主要因素,如反应物摩尔比、反应物浓度、pH值、溶剂种类进行系统研究, 揭示溶剂热反应的经验规律.
采用反应性熔盐法以n(K2Se3 )∶n(Cu)∶n(In)∶n(Se) =2∶2∶1∶6的摩尔比,在773K下反应5d,得到四元金属硒化物K2CuIn3Se6。该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c ,晶胞参数a =1 .1484(2)nm,b =1.1458(2)nm,c =2.1327(4)nm,β =97.81(3)o,V=2.7802(1)nm3,Z=8.K2CuIn3Se6具有层状结构,含有二维共价结构的负离子,2∞[CuIn3Se6]2-.2∞ [CuIn3Se6]2-由配位四面体[CuSe4]和[InSe4]共顶点连接而成。2∞[CuIn3Se6]2-和K+ 以静电力堆积成晶体。漫反射光谱研究表明,该晶体具有1.6eV的光学能隙,属于半导体,对太阳能有选择吸收的特性。
文中提出了一种基于RS-485的新型仿真仪表盘的构造方法,介绍了系统的设计目标和总体结构。仿真仪表采用了单片机系统,给出了原理图,讨论了相关软件和软件编制的关键技术。通讯软件是本系统的关键,给出了数据传输过程中的数据帧结构