×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框(Modal)标题
×
欢迎访问北京化工大学学报(自然科学版),今天是
Email Alert
RSS
Toggle navigation
首页
期刊简介
编委会
投稿须知
出版伦理
下载中心
留言板
联系我们
Englsih
槽栅结构SiC材料IGBT的仿真及优化分析
李俊楠;战可涛*
Simulation and analysis of a SiC trench insulated gate bipolar transistor (IGBT)
LI JunNan;ZHAN KeTao
. 2011, (
6
): 104 -108 .